RAM 2 倍做多 DRAM ETF 持仓说明
底层标的 DRAM ETF 最新持仓(官方披露,截至 2026 年 6 月 5 日)

| 排名 | 公司名称 | 股票代码 | 持仓权重 |
|---|---|---|---|
| 1 | 美光科技 Micron Technology | MU.US | 27.86% |
| 2 | SK 海力士 SK hynix | 000660.KS | 27.68% |
| 3 | 三星电子 Samsung Electronics | 005930.KS | 17.61% |
| 4 | 铠侠控股 Kioxia Holdings | 285A.JP | 6.35% |
| 5 | 闪迪 Sandisk | SNDK.US | 5.14% |
| 6 | 希捷科技 Seagate Technology | STX.US | 4.36% |
| 7 | 西部数据 Western Digital | WDC.US | 3.85% |
| 8 | 南亚科技 Nanya Technology | 2408.TT | 2.76% |
| 9 | 华邦电子 Winbond Electronics | 2344.TT | 1.65% |
持仓核心特点
- 高度集中头部厂商:美光、SK 海力士、三星电子三家全球存储寡头合计权重约 73.15%,是 RAM 价格波动的核心驱动因素。
- 覆盖全存储产业链:除 DRAM 三大厂商外,同时覆盖 NAND 闪存、硬盘、消费级存储等上下游企业。
- 动态调仓:DRAM 为主动管理型 ETF,持仓权重会随股价波动、基金调仓定期变化;RAM 作为杠杆产品每日进行再平衡,长期持有会产生复利损耗,仅适合短线交易。
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