RAM美股2倍多做DRAM ETF最新持仓

RAM 2 倍做多 DRAM ETF 持仓说明

Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF(代码:RAM) 属于每日目标杠杆 ETF,本身不直接持有个股,而是通过总收益互换、期货等金融衍生品,寻求实现底层标的Roundhill Memory ETF(代码:DRAM) 单日收益的 2 倍敞口。其风险收益结构完全锚定 DRAM ETF 的持仓组合,经济敞口为底层持仓的 2 倍杠杆。

底层标的 DRAM ETF 最新持仓(官方披露,截至 2026 年 6 月 5 日)

RAM 的全部股票敞口对应以下持仓,权重为 DRAM ETF 中的净资产占比:
表格

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排名 公司名称 股票代码 持仓权重
1 美光科技 Micron Technology MU.US 27.86%
2 SK 海力士 SK hynix 000660.KS 27.68%
3 三星电子 Samsung Electronics 005930.KS 17.61%
4 铠侠控股 Kioxia Holdings 285A.JP 6.35%
5 闪迪 Sandisk SNDK.US 5.14%
6 希捷科技 Seagate Technology STX.US 4.36%
7 西部数据 Western Digital WDC.US 3.85%
8 南亚科技 Nanya Technology 2408.TT 2.76%
9 华邦电子 Winbond Electronics 2344.TT 1.65%

持仓核心特点

  1. 高度集中头部厂商:美光、SK 海力士、三星电子三家全球存储寡头合计权重约 73.15%,是 RAM 价格波动的核心驱动因素。
  2. 覆盖全存储产业链:除 DRAM 三大厂商外,同时覆盖 NAND 闪存、硬盘、消费级存储等上下游企业。
  3. 动态调仓:DRAM 为主动管理型 ETF,持仓权重会随股价波动、基金调仓定期变化;RAM 作为杠杆产品每日进行再平衡,长期持有会产生复利损耗,仅适合短线交易。

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