美股 Roundhill Memory ETF (DRAM) 最新持仓详解

代码：DRAM | 发行商：Roundhill Investments | 上市时间：2026 年 4 月 2 日 | 管理费：0.65%/ 年

这是全球首只纯存储芯片主题 ETF，专注于投资生产 DRAM、HBM（高带宽内存）、NAND 闪存及固态存储的全球龙头企业，也是目前市场上唯一能同时覆盖美、韩、日、台四大存储产区核心标的的美股 ETF。

最新完整持仓（截至 2026 年 5 月 18 日，权重排序）

该 ETF 仅持有 9 只成分股，无第十大重仓股，持仓集中度极高，前三大龙头合计占比约 74%：

表格

排名	公司名称	国家 / 地区	最新权重	核心业务
1	SK 海力士（KRX:000660）	韩国	27.73%	全球 HBM 绝对龙头，DRAM/NAND 闪存第二大供应商
2	三星电子（KRX:005930）	韩国	20.05%	全球存储行业总龙头，DRAM/NAND 闪存产能规模第一
3	美光科技（NASDAQ:MU）	美国	~26.00%	美股唯一纯正存储标的，HBM3E 产能快速扩张（注：通过总回报互换协议持有）
4	闪迪（NASDAQ:SNDK）	美国	~6.10%	消费级闪存、企业级 SSD 头部企业
5	希捷科技（NASDAQ:STX）	美国	~5.28%	全球机械硬盘龙头，企业级存储设备供应商
6	铠侠（Kioxia）	日本	~4.89%	全球 NAND 闪存第三大供应商
7	西部数据（NASDAQ:WDC）	美国	~4.51%	HDD 与 NAND 闪存综合供应商
8	南亚科技	中国台湾	~3.87%	专注 DRAM 生产的台湾地区龙头
9	华邦电子	中国台湾	~2.33%	生产 DRAM 及 NOR Flash 的综合存储企业

表格

公司	2026 年 4 月 2 日初始权重	2026 年 5 月 18 日权重	变动方向
SK 海力士	24.22%	27.73%	↑3.51%
美光科技	23.83%	~26.00%	↑2.17%
三星电子	24.99%	20.05%	↓4.94%
闪迪	4.66%	~6.10%	↑1.44%
希捷科技	4.49%	~5.28%	↑0.79%

变动原因：主要由股价涨跌导致的被动调整，SK 海力士因 HBM 业务爆发股价涨幅领先，权重显著提升；三星电子因手机业务拖累，权重有所下降。

极度集中的龙头策略：前三大存储原厂（SK 海力士、美光、三星）合计占比约 74%，基金走势几乎完全由这三家公司决定，是投资存储行业 Beta 的最直接工具。
全球全产业链覆盖：
- 美国：4 家（美光、闪迪、希捷、西部数据）
- 韩国：2 家（三星、SK 海力士）
- 日本：1 家（铠侠）
- 中国台湾：2 家（南亚科技、华邦电子）
纯存储赛道属性：与 SOXX、SMH 等泛半导体 ETF 不同，DRAM 要求成分股 50% 以上收入来自存储业务，完全排除了英伟达、台积电等非存储芯片企业，避免了主题稀释。
特殊持仓方式：美光科技通过总回报互换协议持有，这是因为 ETF 规模快速增长导致直接买入美光股票的流动性不足，不影响投资者获得与直接持有相同的收益回报。