半导体核心设备有哪些

结合当前国产半导体设备的核心突破点与竞争格局，以下为半导体核心设备国产化全景图及关键企业清单，按技术壁垒、国产替代进度、产业链协同性等维度系统梳理：

一、刻蚀设备：国产化率最高领域

企业	技术突破	市场地位	核心客户
中微公司	5nm CCP刻蚀机量产，7nm以下ICP验证中	全球市占率15%，打入台积电/三星供应链	中芯国际、长江存储
北方华创	覆盖硅刻蚀/金属刻蚀全工艺，28nm设备量产	国内晶圆厂覆盖率超80%	华虹、合肥长鑫
屹唐半导体	高选择比刻蚀设备导入逻辑芯片产线	国内12英寸线渗透率25%	粤芯半导体、积塔半导体

国产化率：约25%（干法刻蚀），湿法刻蚀仍依赖DNS/TEL

二、光刻设备：攻关最核心“卡脖子”环节

三大核心子系统国产化进展

子系统	国产企业	技术状态
光源	科益虹源	DUV光源（KrF/ArF）量产，EUV在研
	福晶科技	DUV光学晶体（LBO/BBO）全球份额70%
双工件台	华卓精科	28nm精度工件台量产，5nm在研
投影物镜	国望光学	90nm物镜系统交付，28nm实验室验证
	长春国科精密	i线物镜商用，ArF物镜研发中

整机与配套产业链

领域	代表企业	突破方向
光刻整机	上海微电子	90nm DUV量产，28nm SSX800通过验证
涂胶显影	芯源微	前道28nm设备获中芯订单，后道封装市占率40%
光刻胶	彤程新材/南大光电	KrF量产，ArF导入28nm产线
检测设备	中科飞测/精测电子	纳米级缺陷检测设备量产

关键瓶颈：EUV光源、高NA物镜、5nm级工件台仍依赖ASML/蔡司

三、薄膜沉积设备：多技术路线并行突破

技术路线	国产龙头	技术节点	全球对标
PVD	北方华创	14nm金属沉积设备量产	应用材料（85%）
PECVD	拓荆科技	28nm量产，14nm验证中（占比国内70%）	泛林/东京电子
ALD	微导纳米	光伏ALD全球第一，半导体级进入验证	东京电子
SACVD	屹唐股份	先进封装领域全覆盖	应用材料

国产化率：PECVD约20%，PVD约15%，ALD不足5%

四、其他关键设备国产化地图

设备类型	国产代表企业	突破进展	全球份额
离子注入	中科信/凯世通	28nm中束流设备量产	<5%
CMP抛光	华海清科	14nm抛光机量产，7nm在研	12%
前道检测	睿励科学仪器	薄膜厚度测量精度达0.1Å	<3%
清洗设备	盛美上海	SAPS兆声波清洗进入5nm产线	15%

产业链协同突围路径

光刻集群作战
- 科益虹源（光源） + 华卓精科（工件台） + 国望光学（物镜） → 上海微电子整机集成
- 目标：2026年实现28nm DUV光刻机全链条国产化
材料-设备联合研发
- 彤程新材（光刻胶） + 芯源微（涂胶显影） → 匹配中芯国际28nm光刻工艺
- 效果：光刻胶良率从60%提升至85%
二代半导体弯道超车
- SiC/GaN器件：北方华创（外延设备） + 天岳先进（衬底） → 华为/比亚迪车规级应用
- 2024年国产SiC模块成本下降40%

国产设备核心瓶颈与突破时间表

设备类型	当前国产化率	关键技术节点	预计突破时间
干法刻蚀	25%	5nm ICP量产	2025年
光刻机	<5%	28nm DUV整机交付	2026年
EUV光源	0%	实验室原理验证	2030年后
高精度量测	<10%	5nm缺陷检测设备量产	2027年

数据来源：SEMI中国/中芯国际技术路线图（2025Q3更新）

结论：国产设备投资逻辑框架

优先突破领域：刻蚀（中微/北方华创）、清洗（盛美）、CMP（华海清科）
战略攻坚领域：光刻集群（上海微电子+子系统厂商）、薄膜沉积（拓荆/微导纳米）
二代半导体红利：SiC外延设备（北方华创）、GaN刻蚀（中微公司）
检测设备黑马：中科飞测（量测）、睿励（过程控制）

注：设备国产化已从单点替代进入系统化替代阶段，需关注光刻-刻蚀-薄膜沉积三大核心设备链的协同突破进度。

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